IRFR18N15DTRPBF دیتاشیت

IRFR18N15DTRPBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRFR18N15DTRPBF
حجم فایل 54.879 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت IRFR18N15DTRPBF-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRFR18N15DTRPBF
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 110W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 43nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 900pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 18A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 125mΩ@11A,10V
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies